，如LiYbF4、LiAlF4等。早期合成的該類鹵化物電解質(zhì)離子電導(dǎo)率較低且部分在常溫下無法穩(wěn)定存在，使得LiaMX4類電解質(zhì)研究的較少。

尖晶石結(jié)構(gòu)由鹵化物陰離子緊密堆積形成ccp骨架并組成Li2MX4類固態(tài)電解質(zhì)如Li2ZnCl4

，其中M2+占據(jù)四面體空隙位置，Li+位于八面體空隙位置。而反尖晶石結(jié)構(gòu)中，M2+分布于鹵素陰離子形成的八面體空隙位置，Li+同時(shí)分布于四面體間隙與八面體間隙中。當(dāng)采用更高價(jià)態(tài)的金屬離子或進(jìn)一步提升過渡金屬元素的取代量時(shí)，就會(huì)形成缺陷反尖晶石結(jié)構(gòu)。由于在反尖晶石結(jié)構(gòu)中，Li+可以同時(shí)占據(jù)八面體和四面體點(diǎn)位，且一般認(rèn)為由于Li+的擴(kuò)散依賴于八面體和四面體點(diǎn)位之間共邊點(diǎn)位的直接擴(kuò)散，因此認(rèn)為只占據(jù)八面體點(diǎn)位而不占據(jù)四面體點(diǎn)位的正尖晶石結(jié)構(gòu)鹵化物如Li2ZnCl4等會(huì)由于Li+離子傳輸受限所以具有較低的電導(dǎo)率。缺陷反尖晶石結(jié)構(gòu)中，高價(jià)態(tài)金屬陽離子的引入會(huì)產(chǎn)生更多的空位來保持電中性，從而有利于Li+離子的傳輸，所以此類缺陷尖晶石一般具有比正尖晶石和反尖晶石結(jié)構(gòu)更高的電導(dǎo)率，如Li2?2xFe1+xCl4。橄欖石結(jié)構(gòu)常見于Li2ZnX4的燒結(jié)產(chǎn)物，正尖晶石結(jié)構(gòu)的Li2ZnX4燒結(jié)后，可以得到以X?為骨架的hcp結(jié)構(gòu)。

Nazar等通過三價(jià)離子混排替代原二價(jià)離子的方式成功制備出Li2SC2/3Cl4電解質(zhì)，首次將常溫下尖晶石相鹵化物的電導(dǎo)率提升至1.5×10?3S?cm?1

。隨后通過引入In3+摻雜進(jìn)一步將該類電解質(zhì)的室溫電導(dǎo)率提升至2.0×10?3S?cm?1。

Li2In1-3Sc1-3Cl4的結(jié)構(gòu)和可能的鋰離子擴(kuò)散途徑

（來源：Lailong Zhou，et al